R2R ALD
連續式原子層沉積技術
連續式原子層沉積技術 (R2R ALD) 是一種高效沉積技術，適用於多種軟性基材如高分子、金屬箔片及不織布等。其可沉積氧化鋁、氧化鈦等不同氧化物，薄膜厚度範圍為0.2-10奈米，最快生產速率達每分鐘2.4公尺。此技術可應用於高安全性隔離膜、電池材料、抗菌布料等領域，並有助於提升電池性能，如延長壽命、減少容量衰減及提高穩定性。
連續式原子層沉積技術
連續式操作長度: 400公尺
最快生產速率: 每分鐘2.4公尺
薄膜厚度: 0.2-10 奈米
基板種類: 高分子 (如PET, PE, PP), 金屬箔片,碳紙, 不織布等軟性基材
沉積物: 氧化鋁, 氧化鈦, 氧化鋅, 氧化鎳等(可調整前驅物及反應條件)
可行性應用:
高安全性隔離膜
高安全性/高循環壽命三元正極材料
抗菌布料/防護醫材
光學膜……..等
R2R ALD修飾技術-均勻分散
本原子層沉積專利技術適用於正負極片表面修飾：
可沉積不同種類氧化物
藉由ALD圈數精密控制厚度
以自我侷限效應已適用於高縱深與複雜孔隙電極
R2R ALD修飾技術
原子層沉積有利於電池性能提升：
延長循環壽命並減少容量衰減
快速充電下更高的容量保持力
高溫操作下更高的穩定性